ТЕНДЕНЦИИ И ОГРАНИЧЕНИЯ РАЗВИТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
DOI:
https://doi.org/10.5281/zenodo.19721750Keywords:
микроэлектроника, закон Мура, нанотехнологии, полупроводники, квантовые эффекты, интегральные схемы.Abstract
В статье анализируются современные тенденции развития микроэлектроники и выявляются ключевые ограничения, сдерживающие дальнейший прогресс отрасли. Рассматриваются процессы миниатюризации, внедрение новых архитектур и материалов, а также влияние квантовых эффектов на функционирование устройств наноуровня. Особое внимание уделяется перспективным направлениям, включая квантовые и нейроморфные вычисления. Обосновывается необходимость перехода к новым технологическим парадигмам.
References
Moore G.E. Cramming more components onto integrated circuits // Electronics. – 1965.
Taur Y., Ning T.H. Fundamentals of Modern VLSI Devices. – Cambridge University Press, 2013.
Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. – Wiley, 2006.
International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).
Waldrop M.M. The chips are down for Moore’s law // Nature, 2016.
Frank D.J. et al. Device scaling limits of Si MOSFETs // Proceedings of the IEEE.
Ionescu A.M., Riel H. Tunnel field-effect transistors // Nature, 2011.
Chau R. et al. High-k/metal-gate stack and its MOSFET characteristics // IEEE.
Thompson S.E., Parthasarathy S. Moore's law: the future of Si microelectronics // Materials Today.
Markov I.L. Limits on fundamental limits to computation // Nature, 2014.
